簡單來說，反滲透設備中添加阻垢劑可以有效提高難溶鹽和二氧化硅的溶解度，降低設備的結垢風險，提高系統回收率的極限。

阻垢劑是一系列用于阻止結晶礦物鹽的沉淀和結垢形成的化學藥劑。大多數阻垢劑是一些專用有機合成聚合物（比如聚丙烯酸、羧酸、聚馬來酸、有機金屬磷酸鹽、聚膦酸鹽、膦酸鹽、陰離子聚合物等），這些聚合物的分子量在2000－10000道爾頓不等。

阻垢劑阻礙了RO進水和濃水中鹽結晶的生長，因而可以容許難溶鹽在濃水中超過飽和溶解度。阻垢劑的使用可代替加酸，也可以配合加酸使用。

阻垢劑的另一種作用是分散，用來阻止膜面上污染物的聚集和沉積。

需要分散作用處理的污染物有：礦物質結垢，金屬氧化物和氫氧化物（鐵、錳和鋁），聚合硅酸，膠體物質（指那些無定型懸浮顆粒，可能含有土、鐵、鋁、硅、硫和有機物），生物性污染物

阻垢劑/分散劑注入系統的設計應該保證在進入RO元件之前得到充分混合。大多數系統的加藥點設在RO進水保安過濾器之前，通過在過濾器中的緩沖時間及RO高壓泵的攪拌作用來促進混合。如果系統采用加酸調節pH，推薦加酸點要在上游足夠遠的地方，在到達阻垢劑/分散劑注入點之前已經完全混合均勻。

阻垢劑/分散劑的加藥泵要調到較高的運行頻率，建議的頻率是不少于5秒鐘一次。阻垢劑/分散劑的典型添加量為2－6ppm。可以根據現場實際情況，對藥劑進行稀釋。稀釋了的阻垢劑/分散劑在儲槽中會被生物污染，所以稀釋液的保留時間應在7－10天左右。正常情況下，未經稀釋的阻垢劑/分散劑不會受到生物污染。

阻垢原理

無機垢的形成過程可分為下面3個步驟：

1、形成過飽和溶液；

2、生成晶核；

3、晶核成長，形成晶體；

這3個步驟中有一個遭到破壞，結垢過程即被減緩或抑制。阻垢劑的作用就是有效阻止這些步驟中的一個或幾個，以達到阻垢目的。阻垢劑千擾晶體生長的機理有如下幾種說法

1.鰲合增溶作用

整合增溶作用是指阻垢劑與水中Ca2+、Mg2+、S2+、Ba2+等高價金屬離子絡合成穩定的水溶性整合物，使水中游離態鈣、鎂離子的濃度相應降低，這樣就好像使CaCO3等物質的溶解度增大了，本來會析出溶液的CaC03等物質實際上沒有形成沉淀

所謂聞限效應陽垢是指只需向溶液中加入少量的阻垢劑，就能穩定溶液中大量的結垢離子，它們之間不存在嚴格的化學計量關系，當陽垢劑的量增至過大時，其穩定阻垢作用并無明顯改進。

2.晶格畸變作用

晶體正常形成的過程是微粒子（離子、原子或分子）根據特定的晶格方式進行十分有規則的排列，從而形成外形規則、熔點固定、致密堅固的物質結構。所謂最畸變是指在生長的過程中，常常會由于晶體外界的一些原因，而使得晶體存在空位、錯位等缺陷或形成鏡嵌構造等畸變，其結果使同一晶體的各個晶面發育不等。晶體中這種局部組分的差異會導致晶體內部的應力，晶體本身與鑲嵌物質脫脹系數的不同也會導致應力。這些應力使晶體不穩定。當環境發生某些變化時，大晶體便會碎裂成小晶體。

阻垢劑分子由于吸附在位于晶體活性生長點的晶格點陣上，使晶體不能按照晶格排列正常生長，使晶體發生畸變，使晶體的內部應力增大導致晶體破裂，從而防止微晶沉積成垢，達到阻垢目的。

3.吸附與分散作用

阻垢分散劑屬于陰離子有機化合物，可因物理化學吸附作用而吸附于膠體顆粒及微晶粒子上，在顆粒表面形成新的雙電層，改變顆粒表面原來的電荷狀況。于是，因同性電荷相排斥而使它們穩定地分散在水體中。

阻垢劑分類

阻垢劑可按照多種方法進行分類

根據使用效能，阻垢劑可分為普通阻垢劑和高效阻垢劑。

普通陽垢劑用于濃縮倍率低一些的應用合，而高效陽垢劑則用于濃縮倍率高的應用場合，比如RO/NF系統，濃縮倍率常常達到4倍甚至更高，濃縮后的水極不穩定，有很強的結壇傾向。因此，膜系統一般推薦使用高效阻垢劑，在膜系統中使用普通阻垢劑經實踐證明很不安全

高效阻垢劑根據pH值的不同，又可分為酸性和堿性阻垢劑。

無論是酸性還是堿性，其阻垢效率的高低，取決于阻垢劑本體對水中結垢離子有效的教合增溶作用、晶格變作用以及吸附與分散作用。阻垢劑溶液呈酸性或減性，是本體在水溶液中以有機酸或其納鹽形式表現的結果。它的酸堿性并不決定其陽垢性能的好壞。至于堿性阻垢劑能改變給水的pH值，將給水的LSI值提高，造成CaCO3結垢的說法，有夸大之虞。這是因為RO系統的投加量非常小，一般控制值為2-3mg/L （以標準液計），而水中含有大量HCO3-物質，實屬典型的緩沖溶液，如此小的劑量不可能明顯改變原水的pH值，不足為慮。而某些堿性阻垢劑成分更穩定，阻垢性能更好。